تطوير أول رقاقة سيليكون في العالم بدقة 5 نانومترات

تمكنت شركات "إي بي إم" و"سامسونغ"، و"غلوبال فوندريز"، من تصنيع أول رقاقة سيليكون في العالم بدقة 5 نانومترات، ووفقًا لصحيفة "الديلي ميل" البريطانية، فالرقاقة الصغيرة لديها العديد من الاستخدامات، تشتمل على أنظمة الذكاء الاصطناعي، الواقع الافتراضي، والهواتف النقالة.

ويمكن أن تقوم هذه الرقائق بتوفير الطاقة، في بطاريات الهواتف الذكية، وغيرها من الأجهزة الإلكترونية، حيث أنها تدوم ثلاث مرات أطول من الأجهزة التقليدية، وتعد الرقاقة واحدة من أصغر الإنتاجات من أي وقت مضى، وتقوم على قياس عدد قليل من الذرات السميكة، حول قطر اثنين من حلقات الـ"دي إن أيه".وسوف يمكن هذا البحث الرقائق بحجم الأصابع مع 30 مليار ترانزستور على خروج مفاتيح التبديل من الأجهزة الإلكترونية، في حين أن التكنولوجيا الحديثة تعتبر إنجازًا مثيرًا للإعجاب من فريق "أي بي إم"، ولكن النسخة التجارية ليست متاحة بعد.

وتقدم شركة "أي بي إم، تفاصيل أبحاثها بشأن "الترانزستورات النانوية السيليكونية" في ندوات خلال مؤتمر تكنولوجيا فلسي ومؤتمر الدوائر في كيوتو اليابانية، حيث قال أرفيند كريشنا، مدير في شركة "أي بي إم": "إن التقدم في تكنولوجيا أشباه الموصلات أمر ضروري، بالنسبة لقطاع الأعمال والمجتمع، حيث يقوم بتلبية متطلبات الحوسبة المعرفية والسحابية، في الأعوام المقبلة".وأضاف كريشنا: "وهذا هو السبب في سعي "أي بي إم" بقوة، إلى بناء أبنية ومواد جديدة ومختلفة، تدفع حدود هذه الصناعة وتجلبها إلى السوق على هيئة تقنيات مثل "النظم الرئيسية، وأنظمتنا المعرفية".

وقد حقق العلماء الذين يعملون كجزء من التحالف البحثي الذي تقوده شركة "أي بي إم"، الاختراق، في معهد البوليتكنيك في جامعة كونيز للعلوم والهندسة النانوية في نيويورك، وذلك من خلال حزم الصفائح النانوية السيليكونية، وتم استخدام هذه الأكوام من الصفائح النانوية كجهاز من الترانزستور، بدلًا من الهندسة المعمارية القياسية. وأثبتت الابحاث، المعتمدة على رقائق السيليكون النووية، أن استخدام رقائق بدقة 5 نانومتر، من أفضل وأقوى النماذج، وليس بعيدًا أن يتم الاعتماد عليها في المستقبل، حيث تحسن الأداء 40 % عن مثيلتها التي بدقة 10 نانومترية.